可控硅的主要技术参数

　　1．正向阻断峰值电压（VPFU）

　　是指在控制极开路及正向阻断条件下，可以重复加在器件上的正向电压的峰值。此电压规定为正向转折电压值的80％。

　　2．反向阻断峰值电压（VPRU）

　　它是指在控制极断路和额定结温度下，可以重复加在器件上的反向电压的峰值。此电压规定为最高反向测试电压值的80％。

　　3．额定正向平均电流（IF）

　　在环境温度为+40C时，器件导通（标准散热条件）可连续通过工频（即指供电网供给的电源频率．一般为50Hz或60Hz，我国规定为50Hz）正弦半波电流的平均值。

　　4．正向平均压降（UF）

　　在规定的条件下，器件通以额定正向平均电流时，在阳极与阴极之间电压降的平均值。

　　5．维持电流（IH）

　　在控制极断开时，器件保持导通状态所必需的最小正向电流。

　　6．控制极触发电流（Ig）

　　阳极与阴极之间加直流6V电压时，使可控硅完全导通所必需的最小控制极直流电流。

　　7．控制极触发电压（Ug）

　　是指从阻断转变为导通状态时控制极上所加的最小直流电压