最小漏源击穿电压t40 V

　　最大漏极电流 (Abs) (ID)t50 A

　　最大漏极电流 (ID)t50 A

　　最大漏源导通电阻t0.008 Ω

　　FET 技术tMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

　　JEDEC-95代码tTO-252

　　JESD-30 代码tR-PSSO-G2

　　元件数量t1

　　端子数量t2

　　工作模式tENHANCEMENT MODE

　　最高工作温度t175 °C

　　封装主体材料tPLASTIC/EPOXY

　　封装形状tRECTANGULAR

　　封装形式tSMALL OUTLINE

　　极性/信道类型tN-CHANNEL

　　最大功率耗散 (Abs)t50 W

　　最大脉冲漏极电流 (IDM)t120 A

　　认证状态tNot Qualified

　　表面贴装tYES

　　端子形式tGULL WING

　　端子位置tSINGLE

　　晶体管元件材料tSILICON

　　D4184 TO - 252封装， 贴片 N沟道 MOS场效应管 ，电流50A ，耐压40V。