90nm光刻机经过两次曝光，可以制成45nm的芯片，三次曝光后可以制成22nm的芯片。

　　但是曝光次数越多，芯片的良品率就越低，漏电率越高，所以大都用来制造28nm芯片。

　　再看ASML，EUV光刻机达到了13.5nm，三次曝光后可以制造3nm制程的芯片，领先上海微电子4代。

　　这样巨大的差距追赶起来难度是可想而知的。

　　90nm光刻机从研制成功到量产，打磨了整整11年。